Обсуждение: Устойчивость тиристора к dV/dt можно значительно повысить

Цитата:

Журнал РАДИОЛОЦМАН, декабрь 2013 Marian Stofka EDN Тиристор - это переключательный полупроводниковый прибор, теоретические основы которого были сформулированы в публикациях Джона Молла (John Moll) и его соавторов еще в 1956 году [1]. И хотя маломощные тиристоры практически исчезли со сцены, на которой их заменили высоковольтные биполярные транзисторы, MOSFET и IGBT, в области коммутации мегаваттных мощностей они по-прежнему не имеют конкурентов.

Подробнее: Устойчивость тиристора к dV/dt можно значительно повысить