Цитата:
Журнал РАДИОЛОЦМАН, март 2013 Korkut Yegin, Турция EDN Многим инженерам разработка малошумящего ВЧ усилителя со стабильным усилением кажется сложной, и даже пугающей задачей. Однако с развитием в последние годы технологии GaAs (арсенид галлиевых) полевых транзисторов с гетеропереходом (HFET) появилась возможность создания простых устойчивых усилителей с коэффициентом шума менее 1 дБ [1]. |
Подробнее: Конструирование сверхмалошумящего усилителя S диапазона
Aucun commentaire:
Enregistrer un commentaire